PWM Sinyal Jeneratörü, Mosfet Sürücü ve IGBT Sürücü [PS105F6A-07W21]

Ürün Kodu
:
18530
Marka / Menşei
:
Lentark
Miktar
:
0
Fiyat
:
215,00 TL + KDV
KDV Dahil Fiyat
:
253,70 TL
Aynı Gün Kargo
Saat 15:00’e kadar yapılan alımlarda aynı gün kargo imkanı
Alışveriş Listeme Ekle
Bu ürünü listenize ekleyerek daha sonra inceleyebilirsiniz.
Yorum Ekle
Ürünle İlgili Öne Çıkan Kampanyalar

{{CMP.TITLE}}

{{CMP.DESCRIPTION}}

  • Ürün Özellikleri
  • Ödeme Seçenekleri
  • Yorumlar (2)
  • Tavsiye Et
  • Resimler
  • Öneri Kutusu
  • PS105F6A-07W21, 9-18V çalışma gerilimine ve maksimum 6A(Anlık) akım kapasitesine sahip iki çıkışlı MOSFET ve IGBT sürücü cihazıdır. İki çıkışından biri terslenmiş diğeri ise terslenmemiş çıkıştır. Devre kartında kullanılan yükseltici modülleri ve sürücü tasarımı ile MOSFET’lerin ve IGBT’lerin GATE uçlarındaki kapasitif yükü altı amperlik anlık akımıyla hızlıca (12V - 28 ns. - 2,5 nF) şarj eder. Bu sayede daha yüksek akım seviyeleri daha yüksek frekanslarda anahtarlama bozulması (sinyal bozulması) olmadan kontrol edilebilir.

    Kontrol mekanizması oldukça kullanışlı ve kullanıcı dostudur. Kontrol işlemlerinin tamamı devre kartının sağ üst kısmında bulunan açısal okuyucu ile gerçekleştirilmektedir. Yapılan her değişiklik cihazın dâhili hafızasına kaydedilir. Kontrol işlemlerinin nasıl kullanılacağı hakkında detaylı bilgi için Resimli Açıklama başlığına bakınız.

    Özellikler:

    • Kullanımı Kolay Arayüz Programı.
    • Kullanıcı Dostu Tasarımı
    • Geniş Giriş Besleme Gerilimi: 9V-18V
    • Yüksek Anlık Akım Kapasitesi: 6A
    • Geniş Frekans Aralığı: 3 Hz – 1 MHz
    • Düşük Çıkış Empedansı: 2,5 Ω
    • Düşük Voltaj Salınımı: 0-25mV
    • Yüksek Kapasitif Yük Sürme Yeteneği: 10.000 pF
    • Hızlı Şarj Yeteneği: 28 nS’de 2.500 pF Yüke 12V Şarj

    Uygulama Alanları:

    • P ve N Kanal MOSFET, IGBT Tetikleme Uygulamaları.
    • H Köprü ve Yarım Köprü Sürücü Devreleri.
    • Anahtarlamalı Güç Kaynağı Uygulamaları.
    • Yüksek Voltaj Transformatör ve Darbeli Transformatör Sürücü Devreleri.
    • D-Sınıfı Yükseltici Devreleri.
    • R,L ve/veya C yük Kontrol Uygulamaları.
    • İndüksiyon ile Isitma uygulamaları
    • Hobi Uygulamaları.

    PWM çıkışları ve besleme girişleri uygulamaların gerekliliğine göre M2 çapında hazırlanmıştır. Bu sayede lehimsiz olarak da uygulamalarda kullanılabilmektedir. Cihazın ve pin çıkışlarının fiziksel bilgileri için Teknik Çizim başlığına bakınız.

    Display üzerinde yapılan her değişiklik için cihaz bir dizi matematiksel işlemler başlatır ve istenilen değere cihazın çözünürlük değerlerine en yakın olan konfigürasyon hesaplanarak 50 ms içinde ekranda gösterilir. Çözünürlük değerleriyle ilgili daha fazla bilgi için Elektriksel Karakteristikler başlığına bakınız.

    Not: Yapılan her değişiklik cihazın dâhili hafızasına kaydedilir. Böylece, her çalıştırmada yeniden yapılandırma gerektirmez.
    Not: Ekran parlaklığını, ekranın altında kalan devre kartının sol tarafındaki hassas ayarlı direnç ile değiştirebilirsiniz.

    Maksimum Çalışma Sınırları

    Bilgi: Aşağıda sunulan test sonuçlarında bahsi geçen Ciis, Giriş Kapasitesi, Kullanılan MOSFET’lerin ve IGBT’lerin VGS=0, VDS=±25V, f=1.0MHz’deki giriş kapasite değerlerinin toplamını ifade etmektedir. Qg, Toplam Gate Şarjı, Kullanılan MOSFET’lerin ve IGBT’lerin VGS =±10V, ID=0.8IDmax VDS=0.8VDSmax koşullarındaki toplam Gate şarjını ifade etmektedir

    Uyarı: Cihazın maksimum çıkış gücünü aşmayacak şeklide sürülecek MOSFET’lerin ve IGBT’lerin Not1’de bahsedilen özellikleri göz önünde tutularak uygun Gate dirençleri yerleştirilmesi gerekmektedir. Cihazı, şekillerde gösterilen güvenli bölgenin dışında çalıştırmak, cihazın ısınmasına ve kalıcı hasar almasına neden olabilir.

    Elektriksel Karakteristikler

    Yandaki tabloda “En Fazla” olarak belirtilen seviyelerin üstünde cihazı çalışmaya zorlamak cihazın ısınmasına ve kalıcı hasar almasına sebep olabilir. Cihazın, bu teknik belgede belirtilenlerin çalışma sınırların dışında işlevsel çalışması düşünülemez. Uzun süre “En Fazla” derecelendirme koşullarında çalışmaya maruz kalma cihaz güvenilirliğini etkileyebilir.

    Not1: Güç tüketimi, kontrol edilecek MOSFET’ler ve/veya IGBT’ler grubunun mevcut çalışma noktasındaki Toplam Gate Şarjı[Qg] ve Toplam İç Kapasitesi[pF] ile doğrudan ilişkilidir.

    Not: Yoğun manyetik ve elektrik alan değişiminin bulunduğu uygulama alanlarında, cihazın ve tetiklemesinyalinin ortamın zararlı etkilerine maruz kalmaması, montaj için hazırlanan yüzeyin topraklı olması ve sinyalin topraklı kablo ile iletilmesi hem uygulamanız hem de cihaz için yararlı olacaktır.



T-Soft E-Ticaret Sistemleriyle Hazırlanmıştır.